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99,95% Pure Wolfram-Targets mit W1 ASTM B760

99,95% Pure Wolfram-Targets mit W1 ASTM B760

Wolfram-Titan-Legierung Sputter-Target kann verwendet werden, um die Diffusionsbarriere für Halbleiter-Chips, die neue Solarzelle und die keramische Dünnschicht-Schaltung zu machen. Für die ohmsche Kontaktschicht der Halbleiterchips kann ein Wolfram-Silizium-Legierungs-Sputter-Target verwendet werden.

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99,95% Reine Wolfram-Ziele mit W1 ASTM B760

Wolfram-Titan-Legierung Sputter-Target kann verwendet werden, um die Diffusionsbarriere für Halbleiter-Chips, die neue Solarzelle und die keramische Dünnschicht-Schaltung zu machen.

Für die ohmsche Kontaktschicht der Halbleiterchips kann ein Wolfram-Silizium-Legierungs-Sputter-Target verwendet werden.

Art

W (Gew .-%)

Ti (Gew .-%)

Si (Gew .-%)

Reinheit (Gew .-%)

Dichte(%)

Korngröße & (μm)

Dimension (max.mm)

Ra

WTi10

90 ± 0,5

10 ± 0,5

/

99,9-99,999

≥99

<>

400 x 40

≤ 1,6

WTi20

80 ± 0,5

20 ± 0,5

/

99,9-99,995

≥99

<>

400 x 40

≤ 1,6

WSi10

90 ± 0,5

/

10 ± 0,5

99,9-99,999

≥99

<>

400 x 40

≤ 1,6

WSi20

80 ± 0,5

/

20 ± 0,5

99,9-99,999

≥99

<>

400 x 40

≤ 1,6


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