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AONE Titan metallischer Werkstoffe

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99,95% Pure Wolfram-Targets mit W1 ASTM B760

Wolfram-Titan-Legierung Sputter-Target kann verwendet werden, um die Diffusionsbarriere für Halbleiter-Chips, die neue Solarzelle und die keramische Dünnschicht-Schaltung zu machen. Für die ohmsche Kontaktschicht der Halbleiterchips kann ein Wolfram-Silizium-Legierungs-Sputter-Target verwendet werden.

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99,95% Reine Wolfram-Ziele mit W1 ASTM B760

Wolfram-Titan-Legierung Sputter-Target kann verwendet werden, um die Diffusionsbarriere für Halbleiter-Chips, die neue Solarzelle und die keramische Dünnschicht-Schaltung zu machen.

Für die ohmsche Kontaktschicht der Halbleiterchips kann ein Wolfram-Silizium-Legierungs-Sputter-Target verwendet werden.

Art	W (Gew .-%)	Ti (Gew .-%)	Si (Gew .-%)	Reinheit (Gew .-%)	Dichte(%)	Korngröße & (μm)	Dimension (max.mm)	Ra
WTi10	90 ± 0,5	10 ± 0,5	/	99,9-99,999	≥99	<>	400 x 40	≤ 1,6
WTi20	80 ± 0,5	20 ± 0,5	/	99,9-99,995	≥99	<>	400 x 40	≤ 1,6
WSi10	90 ± 0,5	/	10 ± 0,5	99,9-99,999	≥99	<>	400 x 40	≤ 1,6
WSi20	80 ± 0,5	/	20 ± 0,5	99,9-99,999	≥99	<>	400 x 40	≤ 1,6

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