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Wolframlegierungs-Sputtertarget

Wolframlegierungs-Sputtertarget Wolfram-Titanlegierungs-Sputtertarget kann verwendet werden, um die Diffusionsbarriere für Halbleiterchips, die neue Solarzelle und die keramische Dünnfilmschaltung herzustellen. Sputtertarget aus Wolfram-Silizium-Legierung kann für die ohmsche Kontaktschicht der ...

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Wolframlegierungs-Sputtertarget

Sputtertarget aus Wolfram-Titan-Legierung kann verwendet werden, um die Diffusionsbarriere für Halbleiterchips, die neue Solarzelle und die keramische Dünnschichtschaltung herzustellen.

Sputtertarget aus Wolfram-Silizium-Legierung kann für die ohmsche Kontaktschicht der Halbleiterchips verwendet werden.

Art	W (Gew .-%)	Ti (Gew .-%)	Si (Gew .-%)	Reinheit (Gew .-%)	Dichte (%)	Korngröße (μm)	Dimension (max.mm)	Ra
WTi10	90 ± 0,5	10 ± 0,5	/	99,9-99,999	≥99	10	? 400 × 40	≤ 1,6
WTi20	80 ± 0,5	20 ± 0,5	/	99,9-99,995	≥99	10	? 400 × 40	≤ 1,6
WSi10	90 ± 0,5	/	10 ± 0,5	99,9-99,999	≥99	10	? 400 × 40	≤ 1,6
WSi20	80 ± 0,5	/	20 ± 0,5	99,9-99,999	≥99	10	? 400 × 40	≤ 1,6

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